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题名:
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三维电子封装的硅通孔技术 / (美)刘汉诚著 , 秦飞, 曹立强译 |
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ISBN:
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978-7-122-19897-6 价格： CNY148.00 |
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语种:
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chi |
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载体形态:
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390页 图 24cm |
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出版发行:
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出版地： 北京 出版社： 化学工业出版社 出版日期： 2014 |
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内容提要:
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本书系统讨论了用于电子、光电子以及微机电系统（MEMS)器件三维集成的硅通孔（TSV)技术的起源、发展历程、最新的技术信息和将来发展趋势。全书共11章，主要内容包括：半导体工业中的纳米技术和三维集成技术，TSV制程的6个关键工艺步，TSV的力学行为、热问题和电行为，减薄晶圆的强度测量和封装组装过程中的拿持问题，互连微凸点制作工艺与组装工艺，组装中微凸点的可靠性问题，微凸点的电迁移问题，芯片到芯片、芯片到晶圆和晶圆到晶圆的键合技术，三维SiP器件集成技术中的热管理问题，具备量产潜力的三维封装技术，TSV技术的发展趋势。 |
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主题词:
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电子器件 封装工艺 |
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中图分类法:
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TN605 版次： 5 |
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主要责任者:
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刘汉诚 著 |
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次要责任者:
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秦飞 译 |
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次要责任者:
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曹立强 译 |